IRGP4063D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGP4063D 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 330 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 96 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 245 pF
Encapsulados: TO247
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IRGP4063D datasheet
irgp4063d.pdf
PD - 97210 IRGP4063DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C VCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C IC = 48A, TC = 100 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM) P
auirgp4063d auirgp4063d-e.pdf
AUIRGP4063D AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4063D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Trench IGBT Technology IC = 60A, TC = 100 C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 S short circuit SOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.6V 100% of the
irgp4063d1.pdf
IRGP4063D1PbF IRGP4063D1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V C G IC = 60A, TC =100 C G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C G E VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 48A E C C E G G n-channel Applica ons IRGP4063D1PbF IRGP4063D1 EPbF Industrial Motor Drive G C E Inverters UPS Gate Collecto
Otros transistores... IRGP20B60PD, IRGP30B120KD-E, IRGP30B60KD-E, IRGP35B60PD, IRGP35B60PD-EP, IRGP4050, IRGP4062D, IRGP4063, IKW40N65WR5, IRGP4066, IRGP4066D, IRGP4066D-E, IRGP4066-E, IRGP4068D, IRGP4068D-E, IRGP4069, IRGP4069D
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