Справочник IGBT. IRGP4063D

 

IRGP4063D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IRGP4063D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IRGP4063D

 

 

IRGP4063D Datasheet (PDF)

0.1. irgp4063d.pdf Size:782K _international_rectifier

IRGP4063D
IRGP4063D

PD - 97210IRGP4063DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 48A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM) P

0.2. auirgp4063d.pdf Size:337K _international_rectifier

IRGP4063D
IRGP4063D

AUIRGP4063DAUTOMOTIVE GRADEAUIRGP4063D-EINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT TechnologyIC = 60A, TC = 100C Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CG tSC 5s, TJ(max) = 175C 5 S short circuit SOA Square RBSOAEVCE(on) typ. = 1.6V 100% of the

 0.3. irgp4063d1.pdf Size:1407K _international_rectifier

IRGP4063D
IRGP4063D

IRGP4063D1PbF IRGP4063D1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 600V CG IC = 60A, TC =100C G tSC 5s, TJ(max) = 175C GE VCE(ON) typ. = 1.65V @ IC = 48A E C C EG G n-channelApplica onsIRGP4063D1PbFIRGP4063D1EPbFIndustrialMotorDriveG C EInvertersUPSGate Collecto

Другие IGBT... IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , IRGP30B60KD-E , IRGP35B60PD , IRGP35B60PD-E , IRGP4050 , IRGP4062D , IRGP4063 , SKA06N60 , IRGP4066 , IRGP4066D , IRGP4066D-E , IRGP4066-E , IRGP4068D , IRGP4068D-E , IRGP4069 , IRGP4069D .

 

 
Back to Top