IRGR3B60KD2 Todos los transistores

 

IRGR3B60KD2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGR3B60KD2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 52 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7.8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 23 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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IRGR3B60KD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  international rectifier
 irgr3b60kd2.pdf pdf_icon

IRGR3B60KD2

PD - 94601AIRGR3B60KD2INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 4.2A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficie

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