IRGR3B60KD2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRGR3B60KD2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 52 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 23 pF

Encapsulados: DPAK

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IRGR3B60KD2 datasheet

 ..1. Size:260K  international rectifier
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IRGR3B60KD2

PD - 94601A IRGR3B60KD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 4.2A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coefficie

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