1MBC10D-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBC10D-060
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 1MBC10D-060 - IGBT
1MBC10D-060 Datasheet (PDF)
1mbc15-060.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim
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Liste
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