Справочник IGBT. 1MBC10D-060

 

1MBC10D-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBC10D-060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 1MBC10D-060

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBC10D-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  fuji
 1mbc10-060 1mbc10d-060 1mbg10d-060.pdf pdf_icon

1MBC10D-060

 9.1. Size:193K  fuji
 1mbc15-060.pdf pdf_icon

1MBC10D-060

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

Другие IGBT... 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , 1MB30-060 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , SGT50T65FD1PN , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , 1MBG10D-060 , 1MBH03D-120 , 1MBH05D-060 , 1MBH05D-120 , 1MBH08D-120 , 1MBH10D-060 .

History: FGW25N120W | TGAN25N120ND | IXYT80N90C3 | 2M410A | DIM800NSM33-F | SRE50N065FSUD6 | APT15GP60KG

 

 
Back to Top

 


 
.