GT5G102LB IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT5G102LB
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
Encapsulados: IPAK
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GT5G102LB datasheet
gt5g102.pdf
GT5G102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Preliminary Silicon N Channel IGBT GT5G102 Strobe Flash Applications Unit mm 3rd Generation High input impedance Low saturation voltage V = 8 V (max) (I = 130 A) CE (sat) C Enhancement-mode 12 V gate drive Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-emitte
gt5g103.pdf
GT5G103 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5G103 STROBE FLASH APPLICATIONS Unit mm 3rd Generation (A) High Input Impedance Low Saturation Voltage VCE (sat) = 8 V (Max.) (IC = 130 A) Enhancement-Mode 4.5 V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT (B) Collector-Emitter Voltage VCES 40
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