GT5G102LB Todos los transistores

 

GT5G102LB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT5G102LB
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT5G102LB Datasheet (PDF)

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GT5G102LB

GT5G102 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Preliminary Silicon N Channel IGBT GT5G102 Strobe Flash Applications Unit: mm 3rd Generation High input impedance Low saturation voltage : V = 8 V (max) (I = 130 A) CE (sat) C Enhancement-mode 12 V gate drive Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-emitte

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GT5G102LB

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GT5G102LB

GT5G103 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT5G103 STROBE FLASH APPLICATIONS Unit: mm 3rd Generation (A) High Input Impedance Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 8 V (Max.) (IC = 130 A) Enhancement-Mode 4.5 V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT (B) Collector-Emitter Voltage VCES 40

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History: IRG4PC30FPBF | AOTF20B65M2 | IXGH40N120A2 | IXYN120N65C3D1 | MMG300D060B6TC | IXXX160N65B4 | APT40GP60B2DF2

 

 
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