GT60M103 Todos los transistores

 

GT60M103 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT60M103
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT60M103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M103

 7.1. Size:142K  toshiba
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 7.2. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

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 9.1. Size:297K  toshiba
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GT60M103

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History: NGTB40N120FL2WG | FF200R12KT3 | IRG4PC30FPBF | 2MBI225VN-120-50 | MMG300D170B | ISL9V3040D3ST-F085C | IXYH20N65B3

 

 
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