GT60M103 Todos los transistores

 

GT60M103 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT60M103
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.6(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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GT60M103 Datasheet (PDF)

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GT60M103

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