Справочник IGBT. GT60M103

 

GT60M103 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT60M103
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

GT60M103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
 gt50q101 gt50t101 gt60j101 gt60m102 gt60m103 gt75g101.pdf pdf_icon

GT60M103

 7.1. Size:142K  toshiba
 gt60m101.pdf pdf_icon

GT60M103

 7.2. Size:248K  toshiba
 gt60m104.pdf pdf_icon

GT60M103

 9.1. Size:297K  toshiba
 gt60m301.pdf pdf_icon

GT60M103

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT30F131 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 .

History: MMG50SR120UK | BSM400GA120DN2S | MSAGX75F60A | DF160R12W2H3_B11 | IXYX120N120B3 | IXGT15N120B2D1 | APT45GP120B2DF2

 

 
Back to Top

 


 
.