DGG4015 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGG4015
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.2 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de DGG4015 IGBT
DGG4015 Datasheet (PDF)
dgg4015.pdf

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC DGG4015 Nov. 2011 Features Package TO252 Built-in zener Di between collector gate VCL typ. 400VBuilt-in gate protection diode SMD PKG TO252 Low saturated voltage VCE(sat) Max. 1.4V (at VGE=10V, IC=5A) Applications Equivalent circuit Ignitor Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating
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