DGG4015 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGG4015
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
Тип корпуса: TO252
DGG4015 Datasheet (PDF)
dgg4015.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC DGG4015 Nov. 2011 Features Package TO252 Built-in zener Di between collector gate VCL typ. 400VBuilt-in gate protection diode SMD PKG TO252 Low saturated voltage VCE(sat) Max. 1.4V (at VGE=10V, IC=5A) Applications Equivalent circuit Ignitor Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating
Другие IGBT... TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 , TIG066SS , RJP30H2A , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2