DGG4015 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGG4015  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGG4015

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGG4015 даташит

 ..1. Size:310K  sanken-ele
 dgg4015.pdf pdf_icon

DGG4015

http //www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC DGG4015 Nov. 2011 Features Package TO252 Built-in zener Di between collector gate VCL typ. 400V Built-in gate protection diode SMD PKG TO252 Low saturated voltage VCE(sat) Max. 1.4V (at VGE=10V, IC=5A) Applications Equivalent circuit Ignitor Absolute maximum ratings (Ta=25 C Characteristic Symbol Rating

Другие IGBT... TIG111GMH, TIG052TS, TIG056BF, TIG058E8, TIG062E8, TIG064E8, TIG065E8, TIG066SS, IXGH60N60, FGM622S, FGM623S, MGD623N, MGD623S, FGW50N65WE, SKW030N065, GM200HB12CT, GM400HB06CT