FGM622S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGM622S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 60
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 80
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 40
Paquete / Cubierta: TO3PF FM100
Búsqueda de reemplazo de FGM622S - IGBT
FGM622S Datasheet (PDF)
fgm622s.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM622S Sep. 2011 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.65V typ. (IC=25A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=25A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitte
fgm623s.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM623S Jul. 2010 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=30A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitter
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Liste
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