Справочник IGBT. FGM622S

 

FGM622S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGM622S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 40 nC
   Тип корпуса: TO3PF FM100
 

 Аналог (замена) для FGM622S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGM622S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  sanken-ele
 fgm622s.pdf pdf_icon

FGM622S

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM622S Sep. 2011 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.65V typ. (IC=25A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=25A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitte

 9.1. Size:382K  sanken-ele
 fgm623s.pdf pdf_icon

FGM622S

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM623S Jul. 2010 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=30A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitter

Другие IGBT... TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , GT30J127 , FGM623S , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA .

 

 
Back to Top

 


 
.