FGM622S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGM622S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF

Тип корпуса: TO3PFFM100

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGM622S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGM622S даташит

 ..1. Size:489K  sanken-ele
 fgm622s.pdf pdf_icon

FGM622S

http //www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM622S Sep. 2011 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.65V typ. (IC=25A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=25A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25 C Characteristic Symbol Rating Unit Collector to Emitte

 9.1. Size:382K  sanken-ele
 fgm623s.pdf pdf_icon

FGM622S

http //www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM623S Jul. 2010 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=30A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25 C Characteristic Symbol Rating Unit Collector to Emitter

Другие IGBT... TIG052TS, TIG056BF, TIG058E8, TIG062E8, TIG064E8, TIG065E8, TIG066SS, DGG4015, FGD4536, FGM623S, MGD623N, MGD623S, FGW50N65WE, SKW030N065, GM200HB12CT, GM400HB06CT, KGH15N120NDA