FGM623S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGM623S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: TO3PF FM100
Búsqueda de reemplazo de FGM623S IGBT
FGM623S Datasheet (PDF)
fgm623s.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM623S Jul. 2010 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=30A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitter
fgm622s.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM622S Sep. 2011 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.65V typ. (IC=25A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=25A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitte
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History: MGD623N
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