FGM623S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGM623S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
Тип корпуса: TO3PF FM100
FGM623S Datasheet (PDF)
fgm623s.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM623S Jul. 2010 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=30A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitter
fgm622s.pdf
http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC FGM622S Sep. 2011 Features Package TO-3PF Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.65V typ. (IC=25A) High Speed SW tf=120ns typ. (IC=25A) Applications Current Resonance Inverter Switching Equivalent circuit C(2) (1) E(3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating UnitCollector to Emitte
Другие IGBT... TIG056BF , TIG058E8 , TIG062E8 , TIG064E8 , TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , SGT50T65FD1PT , MGD623N , MGD623S , FGW50N65WE , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2