KGT20N60KDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KGT20N60KDA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de KGT20N60KDA IGBT
KGT20N60KDA Datasheet (PDF)
kgt20n60kda.pdf
SEMICONDUCTORKGT20N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency BAOS Kand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.DIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30_B5.00 + 0.20FEATURES _C20.85 + 0.30_D3.00 + 0.20
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Liste
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