KGT20N60KDA - аналоги и описание IGBT

 

KGT20N60KDA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: KGT20N60KDA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для KGT20N60KDA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры KGT20N60KDA

 ..1. Size:441K  kec
 kgt20n60kda.pdf pdf_icon

KGT20N60KDA

SEMICONDUCTOR KGT20N60KDA TECHNICAL DATA General Description KEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency B A O S K and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. DIM MILLIMETERS _ + A 15.90 0.30 _ B 5.00 + 0.20 FEATURES _ C 20.85 + 0.30 _ D 3.00 + 0.20

Другие IGBT... GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA , KGT15N120NDH , KGT15N60FDA , RJP63F3DPP-M0 , KGT25N120KDA , KGT25N120NDA , KGT25N120NDH , KGT25N135NDH , KGT30N120NDA , KGT30N120NDH , KGT30N60KDA , KGT40N60KDA .

 

 
Back to Top

 


 
.