KGT20N60KDA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: KGT20N60KDA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для KGT20N60KDA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGT20N60KDA даташит

 ..1. Size:441K  kec
 kgt20n60kda.pdf pdf_icon

KGT20N60KDA

SEMICONDUCTOR KGT20N60KDA TECHNICAL DATA General Description KEC NPT Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency B A O S K and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. DIM MILLIMETERS _ + A 15.90 0.30 _ B 5.00 + 0.20 FEATURES _ C 20.85 + 0.30 _ D 3.00 + 0.20

Другие IGBT... GM400HB06CT, KGH15N120NDA, KGH25N120NDA, KGT12N120NDH, KGT15N120KDA, KGT15N120NDA, KGT15N120NDH, KGT15N60FDA, RJP30H1DPD, KGT25N120KDA, KGT25N120NDA, KGT25N120NDH, KGT25N135NDH, KGT30N120NDA, KGT30N120NDH, KGT30N60KDA, KGT40N60KDA