GT8G101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT8G101
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 900 nS
Paquete / Cubierta: TO3P
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GT8G101 Datasheet (PDF)
gt8g103.pdf
GT8G103 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT8G103 STROBE FLASH APPLICATIONS Unit: mm 3rd Generation (A) Enhancement-Mode Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 8 V (Max.) (@IC = 150 A) 4.5 V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 V(B) DC VGES 6 VGate-
gt8g151.pdf
GT8G151 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT8G151 Strobe Flash Applications Unit: mmUnit: mm Enhancement-mode TSON-8TSON-8 Low gate drive voltage: VGE = 2.5 V (min.) (@IC = 150 A) Peak collector current: IC = 150 A (max) 0.650.050.650.058 7 6 58 7 6 5 Compact and Thin (TSON-8) package Absolute Maximum Ratings (Ta =
gt8g121.pdf
GT8G121 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT8G121 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS 4th Generation (Trench Gate Structure) Enhancement-Mode Low Saturation Voltage : V = 7 V (Max.) (@I = 150 A) CE (sat) C 4 V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VDC VGES 6 VG
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