GT30G125 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT30G125
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 430 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200(pulse) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

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GT30G125 Datasheet (PDF)

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History: RJH60M3DPQ-A0 | RJP30H1DPD | TT100N120PF1E | SGH80N60UF | RJP60F4DPM | APT13GP120BSC | APT15GP60K