GT30G125 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT30G125
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Тип корпуса: TO220SIS
- подбор IGBT транзистора по параметрам
GT30G125 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... APT15GP60K , GT60N321 , GT30F124 , GT30F125 , GT45F127 , GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , GT30G122 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , GT5J301 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 .
History: TGAN25N120ND | IRG4ZC70UD | IRG4PSH71KD
History: TGAN25N120ND | IRG4ZC70UD | IRG4PSH71KD
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent