GT30G125 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: GT30G125
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Тип корпуса: TO220SIS
Аналог (замена) для GT30G125
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
GT30G125 даташит
No data!
Другие IGBT... APT15GP60K , GT60N321 , GT30F124 , GT30F125 , GT45F127 , GT45F128 , GT30F131 , GT30G124 , IHW40T60 , GT45G127 , GT45G128 , GT30J124 , GT5G133 , GT5J301 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent