GT8J102 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT8J102 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Encapsulados: DPAK
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GT8J102 datasheet
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History: HGT1S12N60C3DR | HGT1S3N60A4S | HGT1S12N60A4DS
🌐 : EN ES РУ
Liste
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