1MBG10D-060 Todos los transistores

 

1MBG10D-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBG10D-060
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Paquete / Cubierta: T-PACK-S
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBG10D-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  fuji
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1MBG10D-060

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History: CM600DY-12NF | CM200RL-12NF | APT30GN60SG | AUIRG4BC30S-S | MUBW15-12T7 | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50

 

 
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