1MBG10D-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBG10D-060
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: T-PACK-S
- Selección de transistores por parámetros
1MBG10D-060 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 1MB30-060 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , FGA60N65SMD , 1MBH03D-120 , 1MBH05D-060 , 1MBH05D-120 , 1MBH08D-120 , 1MBH10D-060 , 1MBH10D-120 , 1MBH15-120 , 1MBH15D-060 .
History: CM600DY-12NF | CM200RL-12NF | APT30GN60SG | AUIRG4BC30S-S | MUBW15-12T7 | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50
History: CM600DY-12NF | CM200RL-12NF | APT30GN60SG | AUIRG4BC30S-S | MUBW15-12T7 | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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