1MBG10D-060 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 1MBG10D-060
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: T-PACK-S

 Аналог (замена) для 1MBG10D-060

 

 

1MBG10D-060 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... 1MB30-060 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , GT30G124 , 1MBH03D-120 , 1MBH05D-060 , 1MBH05D-120 , 1MBH08D-120 , 1MBH10D-060 , 1MBH10D-120 , 1MBH15-120 , 1MBH15D-060 .