SSIG15N135H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSIG15N135H 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 40 pF
Encapsulados: TO247
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SSIG15N135H datasheet
ssig15n135h.pdf
SSIG15N135H Main Product Characteristics VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 15A @ TC = 100 C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits Advanced Trench-FS Process Technology Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@15A Fast Switching High Input Impedance Pb- Free Product Power Switch Circuit of Induction Co
Otros transistores... FGW75N60H, FGW75N60HD, FGW85N60RB, 1MBH60-100, FGL40N120AN, BRG15N120D, BRG20N120D, BRG25N120D, FGH40N60UFD, SSIG20N135H, BT25T120ANF, BT15T120ANF, BT15N120ANF, BT40N60BNF, BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F
History: HGTM12N50C1 | IRGP20B120UD-E
🌐 : EN ES РУ
Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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