Справочник IGBT. SSIG15N135H

 

SSIG15N135H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SSIG15N135H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SSIG15N135H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  silikron
 ssig15n135h.pdf pdf_icon

SSIG15N135H

SSIG15N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 15A @ TC = 100C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits: Advanced Trench-FS Process Technology Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@15A Fast Switching High Input Impedance Pb- Free Product Power Switch Circuit of Induction Co

Другие IGBT... FGW75N60H , FGW75N60HD , FGW85N60RB , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , FGH40N60UFD , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F .

History: APT30GS60BRDQ2G | SGT60U65FD1PN | SGM40HF12A1TFD | IRGP4063D1 | SGTP5T60SD1S | OST75N65HSMF | APT15GP90BG

 

 
Back to Top

 


 
.