SSIG20N135H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSIG20N135H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 192 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SSIG20N135H - IGBT
SSIG20N135H Datasheet (PDF)
ssig20n135h.pdf
SSIG20N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 20A @ TC = 100C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits: Advanced Trench-FS Process Technology Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@20A Fast Switching High Input Impedance Pb- Free Product Power Switch Circuit of Induction Co
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Liste
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