SSIG20N135H Todos los transistores

 

SSIG20N135H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSIG20N135H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSIG20N135H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  silikron
 ssig20n135h.pdf pdf_icon

SSIG20N135H

SSIG20N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 20A @ TC = 100C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits: Advanced Trench-FS Process Technology Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@20A Fast Switching High Input Impedance Pb- Free Product Power Switch Circuit of Induction Co

Otros transistores... FGW75N60HD , FGW85N60RB , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , GT30J124 , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM .

History: HGTG20N60C3R | OST120N65HEMF | HGTG30N60B3 | RJP60D0DPE | HGTG30N60A4 | STGWT60H60DLFB | BRG25N120D

 

 
Back to Top

 


 
.