BT40N60BNF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT40N60BNF

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 312

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vcesat): 2.6

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 47

Capacitancia de salida (Cc), pF: 169

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de BT40N60BNF - IGBT

BT40N60BNF PDF doc:

1.1. bt40n60bnf.pdf Size:105K _igbt_a

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT40N60BNF General Description： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features： FS Planar Technology, Positive temperature

1.2. bt40n60bnf.pdf Size:106K _crhj

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT40N60BNF General Description： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features： FS Planar Technology, Positive temperature

Otros transistores... BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , G7N60C3D , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ .