BT40N60BNF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT40N60BNF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 169 pF

Encapsulados: TO3P

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BT40N60BNF datasheet

 ..1. Size:106K  crhj
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BT40N60BNF

Silicon FS Planar IGBT R BT40N60BNF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features FS Planar Technology, Positive temperature

 ..2. Size:105K  wuxi china
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BT40N60BNF

Silicon FS Planar IGBT R BT40N60BNF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features FS Planar Technology, Positive temperature

Otros transistores... BRG15N120D, BRG20N120D, BRG25N120D, SSIG15N135H, SSIG20N135H, BT25T120ANF, BT15T120ANF, BT15N120ANF, GT30J127, BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F, AP25G45EM, AP25G45GEM, AP28G45GEM, AP20G45EH, AP20G45EJ