AP05G120NSW-HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP05G120NSW-HF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 125

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 21

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.5

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 65

Paquete / Cubierta: TO247

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AP05G120NSW-HF Datasheet (PDF)

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AP05G120NSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-FreeGCTO-3PEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VVGE Gate-Emitter Voltage +30 VIC@TC=25 Col

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AP05G120SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5AVCE(sat)=2.3V@IC=5AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

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