IXYP8N90C3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYP8N90C3D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30 pF
Encapsulados: TO220
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IXYP8N90C3D1 datasheet
ixyp8n90c3d1.pdf
Preliminary Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYA8N90C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 8A IXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V
ixyp8n90c3.pdf
Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYY8N90C3 GenX3TM IC110 = 8A IXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-252 (IXYY) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V TO-220 (IXYP) VG
Otros transistores... TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , RJH30E2DPP , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U .
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