IXYP8N90C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYP8N90C3D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 125
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 900
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 30
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 13.3
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IXYP8N90C3D1 - IGBT
IXYP8N90C3D1 Datasheet (PDF)
ixyp8n90c3d1.pdf
Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V
ixyp8n90c3.pdf
Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYY8N90C3GenX3TM IC110 = 8AIXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-252 (IXYY)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 VTO-220 (IXYP)VG
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Liste
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