WGW15G120N - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WGW15G120N

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.4

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 60

Capacitancia de salida (Cc), pF: 880

Paquete / Caja (carcasa): TO3PN

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WGW15G120N Datasheet (PDF)

..1. wgw15g120n.pdf Size:433K _winsemi

WGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverterFrequency convertersI

5.1. wgw15g120w.pdf Size:442K _winsemi

WGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) Clow Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverter Frequency converters In

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