WGW15G120N Todos los transistores

 

WGW15G120N - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WGW15G120N
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 880 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 85 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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WGW15G120N Datasheet (PDF)

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WGW15G120N

WGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverterFrequency convertersI

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WGW15G120N

WGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) Clow Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverter Frequency converters In

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