WGW15G120N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: WGW15G120N  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 880 pF

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для WGW15G120N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

WGW15G120N даташит

 ..1. Size:433K  winsemi
 wgw15g120n.pdf pdf_icon

WGW15G120N

WGW15G120N WGW15G120N WGW15G120N WGW15G120N Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Features 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100 CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMI Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications General purpose inverter Frequency converters I

 5.1. Size:442K  winsemi
 wgw15g120w.pdf pdf_icon

WGW15G120N

WGW15G120W WGW15G120W WGW15G120W WGW15G120W Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Features 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100 CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMI Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications General purpose inverter Frequency converters In

Другие IGBT... NGD8205A, IXYA8N90C3D1, IXYP8N90C3D1, APT20GN60BG, APT20GN60KG, APT20GN60SG, AOK20B60D1, F3L30R06W1E3_B11, FGPF4633, WGW15G120W, IRG4MC50U, MMIX4B20N300, AOB10B60D, AOK10B60D, AOT10B60D, NGB8207AB, NGB8207B