Справочник IGBT. WGW15G120N

 

WGW15G120N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: WGW15G120N
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 60
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 880
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 85
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для WGW15G120N

 

 

WGW15G120N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  winsemi
 wgw15g120n.pdf

WGW15G120N WGW15G120N

WGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverterFrequency convertersI

 5.1. Size:442K  winsemi
 wgw15g120w.pdf

WGW15G120N WGW15G120N

WGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) Clow Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverter Frequency converters In

Другие IGBT... NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , RJH60F5DPQ-A0 , WGW15G120W , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B .

 

 
Back to Top