AOK15B60D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK15B60D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 167 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.6(typ) V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 97 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 25.4 nC
Paquete / Cubierta: TO247
AOK15B60D Datasheet (PDF)
aok15b60d.pdf
AOK15B60DTM600V, 15A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 15Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.6Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to
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Liste
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