Справочник IGBT. AOK15B60D

 

AOK15B60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOK15B60D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.6(typ) V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 97 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 25.4 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AOK15B60D

 

 

AOK15B60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  aosemi
 aok15b60d.pdf

AOK15B60D AOK15B60D

AOK15B60DTM600V, 15A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 15Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.6Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to

Другие IGBT... MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , TGAN20N135FD , APT20GT60BRDQ1G , APT20GT60BRG , APT20GT60KRG , RJH1CF5RDPQ-80 , APT15GN120BDQ1G , APT15GN120SDQ1G , APT20GF120BRDQ1G , APT20GF120SRDQ1G .

 

 
Back to Top