Справочник IGBT. AOK15B60D

 

AOK15B60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOK15B60D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 167
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.6(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 27
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 97
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25.4
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AOK15B60D

 

 

AOK15B60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  aosemi
 aok15b60d.pdf

AOK15B60D AOK15B60D

AOK15B60DTM600V, 15A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 15Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.6Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance to

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top