AOK15B60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AOK15B60D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 97 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AOK15B60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOK15B60D даташит

 ..1. Size:732K  aosemi
 aok15b60d.pdf pdf_icon

AOK15B60D

AOK15B60D TM 600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 15A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.6V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to

Другие IGBT... MMIX4B20N300, AOB10B60D, AOK10B60D, AOT10B60D, NGB8207AB, NGB8207B, AOB15B60D, IRGSL8B60K, FGH75T65UPD, APT20GT60BRDQ1G, APT20GT60BRG, APT20GT60KRG, RJH1CF5RDPQ-80, APT15GN120BDQ1G, APT15GN120SDQ1G, APT20GF120BRDQ1G, APT20GF120SRDQ1G