RJH1DF7RDPQ-80 Todos los transistores

 

RJH1DF7RDPQ-80 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJH1DF7RDPQ-80
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 78 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 62 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

RJH1DF7RDPQ-80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  renesas
 rjh1df7rdpq-80.pdf pdf_icon

RJH1DF7RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1DF7RDPQ-80 R07DS0413EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 18, 2011Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.95 V typ. (at IC = 35 A, VGE = 15 V, Tj =

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SGP5N60RUFD | IXBF12N300 | IRGB4086 | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K

 

 
Back to Top

 


 
.