APT46GA90JD40 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT46GA90JD40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 284 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 438 pF
Encapsulados: SOT227
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APT46GA90JD40 datasheet
apt46ga90jd40.pdf
APT46GA90JD40 900V High Speed PT IGBT POWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies provide excellent noise immunity
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History: APT30GN60SG | AOK60B60D1 | APT20GF120KR | APT40GF120JRD | APT25GP120B
History: APT30GN60SG | AOK60B60D1 | APT20GF120KR | APT40GF120JRD | APT25GP120B
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