APT46GA90JD40 Todos los transistores

 

APT46GA90JD40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APT46GA90JD40
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 284 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 46 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 438 pF
   Paquete / Cubierta: SOT227
     - Selección de transistores por parámetros

 

APT46GA90JD40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  microsemi
 apt46ga90jd40.pdf pdf_icon

APT46GA90JD40

APT46GA90JD40 900V High Speed PT IGBTPOWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies provide excellent noise immunity

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGP12N100 | AUIRGS4062D1 | SGM50PA12A6BTFD

 

 
Back to Top

 


 
.