Справочник IGBT. APT46GA90JD40

 

APT46GA90JD40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: APT46GA90JD40
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 46 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 438 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 698 nC
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

APT46GA90JD40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  microsemi
 apt46ga90jd40.pdf pdf_icon

APT46GA90JD40

APT46GA90JD40 900V High Speed PT IGBTPOWER MOS 8 is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff - VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies provide excellent noise immunity

Другие IGBT... AP50GT60SW-HF , MMIX1X100N60B3H1 , RJH1BF7RDPQ-80 , RJH1DF7RDPQ-80 , RJH1CF7RDPQ-80 , VS-GA100NA60UP , APT35GP120JDQ2 , APT40GP90JDQ2 , GT50JR22 , APT40GP60JDQ2 , APT36GA60B , APT36GA60BD15 , APT36GA60S , APT36GA60SD15 , APT35GA90B , APT35GA90BD15 , APT35GA90S .

 

 
Back to Top

 


 
.