HGT1S3N60A4DS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGT1S3N60A4DS  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGT1S3N60A4DS IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGT1S3N60A4DS datasheet

 ..1. Size:677K  1
 hgt1s3n60a4ds hgtp3n60a4d.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4DS

 3.1. Size:644K  1
 hgtd3n60a4s hgt1s3n60a4s hgtp3n60a4.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4DS

 5.1. Size:810K  1
 hgtd3n60b3 hgtd3n60b3s hgt1s3n60b3 hgt1s3n60b3s hgtp3n60b3.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4DS

 5.2. Size:390K  1
 hgtp3n60c3d hgt1s3n60c3d hgt1s3n60c3ds.pdf pdf_icon

HGT1S3N60A4DS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HGT1S20N60C3R, HGT1S20N60C3RS, HGT1S20N60C3RS9A, HGT1S20N60C3S, HGT1S2N120BNDS, HGT1S2N120BNS, HGT1S2N120CNDS, HGT1S2N120CN, RJP63K2DPP-M0, HGT1S3N60A4S, HGT1S3N60B3, HGT1S3N60B3DS, HGT1S3N60B3S, HGT1S3N60C3D, HGT1S3N60C3DS, HGT1S3N60C3DS9A, HGT1S5N120BNDS