1MBI300N-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBI300N-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 17400 pF
Encapsulados: M127
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1MBI300N-120 datasheet
1mbi300n-120.pdf
IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4 5 Times Rated Current) n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
1mbi300nn-120.pdf
IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4 5 Times Rated Current) n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
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