1MBI300N-120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MBI300N-120
Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17400 pF
Тип корпуса: M127
Аналог (замена) для 1MBI300N-120
1MBI300N-120 Datasheet (PDF)
1mbi300n-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
1mbi300nn-120.pdf

IGBT MODULE ( N series ) n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Improved FWD Characteristic Minimized Internal Stray Inductance Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)n Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power
1mbi300f-060.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46
1mbi300f-120.pdf

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by . ./ 8(017)200-56-46
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: SII50N06 | IXXK110N65B4H1
History: SII50N06 | IXXK110N65B4H1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b