MPMC200B120RH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPMC200B120RH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 960 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 275 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 977 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 790 nC
Paquete / Cubierta: 7DM2
Búsqueda de reemplazo de MPMC200B120RH IGBT
MPMC200B120RH Datasheet (PDF)
mpmc200b120rh.pdf
MPMC200B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation T
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