MPMC200B120RH Todos los transistores

 

MPMC200B120RH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPMC200B120RH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 960 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 275 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 977 pF
   Paquete / Cubierta: 7DM2
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPMC200B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  magnachip
 mpmc200b120rh.pdf pdf_icon

MPMC200B120RH

MPMC200B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-2 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation T

Otros transistores... IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , GT30F126 , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D .

History: APT102GA60L | HGT1S14N36G3VL | MPBW50N65E | PPNHZ52F120A | 1MBI300F-120 | MPBQ120N65GSF | IXGP16N60B2

 

 
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