FF1400R12IP4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FF1400R12IP4 Datasheet (PDF)

..1. Size:662K infineon
ff1400r12ip4.pdf pdf_icon

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R12IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCPrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

0.1. Size:637K infineon
ff1400r12ip4p.pdf pdf_icon

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R12IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

6.1. Size:688K infineon
ff1400r17ip4.pdf pdf_icon

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R17IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCPrimePACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3

6.2. Size:624K infineon
ff1400r17ip4p.pdf pdf_icon

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R17IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

Otros transistores... AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , MBQ60T65PES , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF .