FF1400R12IP4 Todos los transistores

 

FF1400R12IP4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF1400R12IP4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7650 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS

Encapsulados: MODULE

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FF1400R12IP4 datasheet

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FF1400R12IP4

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FF1400R12IP4

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1400R12IP4P IGBT-Module PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1200V CES I = 1400A / I = 2800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

 6.1. Size:688K  infineon
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FF1400R12IP4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1400R17IP4 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC PrimePACK 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1400A / I = 2800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3

 6.2. Size:624K  infineon
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FF1400R12IP4

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FF1400R17IP4P IGBT-Module PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1400A / I = 2800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

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