FF1400R12IP4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF1400R12IP4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7650 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 9600 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FF1400R12IP4 Datasheet (PDF)
ff1400r12ip4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R12IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCPrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
ff1400r12ip4p.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R12IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
ff1400r17ip4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R17IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCPrimePACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3
ff1400r17ip4p.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R17IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo
Другие IGBT... AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FGD4536 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF .
History: SKM150GB12T4 | DF160R12W2H3_B11 | CT20ASL-8 | STGP20V60DF | CM20MD-12H
History: SKM150GB12T4 | DF160R12W2H3_B11 | CT20ASL-8 | STGP20V60DF | CM20MD-12H



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620