FF1400R12IP4 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

FF1400R12IP4 Datasheet (PDF)

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R12IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCPrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R12IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1400R17IP4IGBT-modulesPrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCPrimePACK3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1400R17IP4PIGBT-ModulePrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mo

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