T2250AB25E Todos los transistores

 

T2250AB25E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T2250AB25E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 11800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2250 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2700 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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T2250AB25E Datasheet (PDF)

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T2250AB25E

Date:- 25 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T2250AB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Otros transistores... T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , FGD4536 , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE .

History: MG300Q2YS50 | 1MBC15-060 | BSM400GA120DN2 | IXSK30N60CD1 | SKM145GAY123D | SKM100GB173D | SG23N06T

 

 
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