T2250AB25E - аналоги и описание IGBT

 

T2250AB25E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T2250AB25E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11800 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2250 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2700 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T2250AB25E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T2250AB25E даташит

 ..1. Size:294K  ixys
 t2250ab25e.pdf pdf_icon

T2250AB25E

Date - 25 Jan, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T2250AB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , GT50JR22 , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE .

History: SHD724402 | SRE15N065FSUDJ | SII75N12 | SGL40N150D | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | YGW50N120FP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.