Справочник IGBT. T2250AB25E

 

T2250AB25E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T2250AB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2250 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2700 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T2250AB25E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T2250AB25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  ixys
 t2250ab25e.pdf pdf_icon

T2250AB25E

Date:- 25 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T2250AB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , FGD4536 , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE .

 

 
Back to Top

 


 
.