STGF20H60DF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGF20H60DF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 37 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11.9 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
STGF20H60DF Datasheet (PDF)
stgf20h60df.pdf

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution3 Safe paralleling32211 Low thermal resistanceTO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTABApplications31 Motor contr
stgf20nb60s.pdf

STGF20NB60SN-CHANNEL 13A - 600V TO-220FPPowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGF20NB60S 600 V
stgf20m65df2.pdf

STGF20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBTFeatures High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameter distribution Safer paralleling32 Low thermal resistance1 Soft and very fast recovery antiparallel diodeTO-220FPC (2) Applications Motor control UPS PFCG (1)
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8
History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8



Liste
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IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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