STGF20H60DF Todos los transistores

 

STGF20H60DF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGF20H60DF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 37 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11.9 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF

Encapsulados: TO220F

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STGF20H60DF datasheet

 ..1. Size:1853K  st
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STGF20H60DF

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features TAB High speed switching Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 3 2 2 1 1 Low thermal resistance TO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diode TAB Applications 3 1 Motor contr

 8.1. Size:281K  st
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STGF20H60DF

STGF20NB60S N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25 C @100 C STGF20NB60S 600 V

 8.2. Size:526K  st
stgf20m65df2.pdf pdf_icon

STGF20H60DF

STGF20M65DF2 Datasheet Trench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBT Features High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameter distribution Safer paralleling 3 2 Low thermal resistance 1 Soft and very fast recovery antiparallel diode TO-220FP C (2) Applications Motor control UPS PFC G (1)

Otros transistores... IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , IRGR2B60KD , GT30F133 , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , RJP5001APP-M0 , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM , RJQ6015DPM .

 

 

 


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