Справочник IGBT. STGF20H60DF

 

STGF20H60DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGF20H60DF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для STGF20H60DF

 

 

STGF20H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1853K  st
stgf20h60df.pdf

STGF20H60DF
STGF20H60DF

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution3 Safe paralleling32211 Low thermal resistanceTO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeTABApplications31 Motor contr

 8.1. Size:281K  st
stgf20nb60s.pdf

STGF20H60DF
STGF20H60DF

STGF20NB60SN-CHANNEL 13A - 600V TO-220FPPowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGF20NB60S 600 V

 8.2. Size:526K  st
stgf20m65df2.pdf

STGF20H60DF
STGF20H60DF

STGF20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBTFeatures High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameter distribution Safer paralleling32 Low thermal resistance1 Soft and very fast recovery antiparallel diodeTO-220FPC (2) Applications Motor control UPS PFCG (1)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top