IKP08N65F5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKP08N65F5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 16 pF
Encapsulados: TO220
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IKP08N65F5 datasheet
ikp08n65f5.pdf
IGBT High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKP08N65F5 650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKP08N65F5 High speed switching series fifth generation High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparal
ikp08n65h5.pdf
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History: IRGB4610D | IRGR4610D
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