IKP30N65H5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKP30N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 188 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 9 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
Encapsulados: TO220
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IKP30N65H5 datasheet
ikp30n65h5.pdf
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ikp30n65f5.pdf
IGBT High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKP30N65F5 650V DuoPack IGBT and diode High speed switching series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKP30N65F5 High speed switching series fifth generation High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparal
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