IKP30N65H5 - аналоги и описание IGBT

 

IKP30N65H5 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IKP30N65H5

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 9 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKP30N65H5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP30N65H5 даташит

 ..1. Size:2076K  infineon
 ikp30n65h5.pdf pdf_icon

IKP30N65H5

IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKP30N65H5 650V DuoPack IGBT and diode High speed switching series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKP30N65H5 High speed switching series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

 6.1. Size:2077K  infineon
 ikp30n65f5.pdf pdf_icon

IKP30N65H5

IGBT High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode IKP30N65F5 650V DuoPack IGBT and diode High speed switching series fifth generation Data sheet Industrial Power Control IKP30N65F5 High speed switching series fifth generation High speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparal

Другие IGBT... IRG7PH35UD1-EP , IRG7PH35UD1M , IRG8P25N120KD , IGB30N60T , IGW30N60T , IGP30N65F5 , IGP30N65H5 , IKP30N65F5 , KGF75N65KDF , IKW30N65H5 , NGTB30N60S , NGTB30N60SWG , NGTB20N120IHL , NGTB25N120IHL , IRGP6630D , NGTB20N120L , NGTB20N120LWG .

History: JNG25T60AI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.