CI40T120P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CI40T120P
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 84 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: TBD nC
Paquete / Cubierta: TO3P
CI40T120P Datasheet (PDF)
ci40t120p.pdf
CI40T120P40A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance.0.543(13.8)0.197(5.00)0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI40T120PG. 0.181(4.60)0.065(1.65)0.386(9.8)0.057(1.45)0.370(9.4)0.157(4.0)0.142(3.6)0.622(15.8)
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: HGTP10N120BN
History: HGTP10N120BN
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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