KGF25N120KDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KGF25N120KDA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 115 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de KGF25N120KDA IGBT
KGF25N120KDA Datasheet (PDF)
kgf25n120kda.pdf
SEMICONDUCTORKGF25N120KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand
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History: DL2G50SH6N | HGTD10N50F1
History: DL2G50SH6N | HGTD10N50F1
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