KGF25N120KDA Todos los transistores

 

KGF25N120KDA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KGF25N120KDA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 115 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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KGF25N120KDA Datasheet (PDF)

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KGF25N120KDA

SEMICONDUCTORKGF25N120KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand

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History: IXGT30N60C2D1 | MG1215H-XBN2MM | MG10Q6ES50A

 

 
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