KGF25N120KDA IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KGF25N120KDA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 115 pF
Encapsulados: TO247
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KGF25N120KDA datasheet
kgf25n120kda.pdf
SEMICONDUCTOR KGF25N120KDA TECHNICAL DATA General Description KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES High speed switching High ruggedness, temperature stable behavior Short Circuit Withstand
Otros transistores... NGTB30N120IHSWG , 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , 6SI75N12 , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , RJP30H2A , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U , STGB20H60DF , STGP20H60DF , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 .
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